Q Au sujet du Silicium pur : 
V IL S’AGIT D’UN SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE. 
V CHAQUE ATOME PARTAGE UN ELECTRON AVEC CHACUN DE SES VOISINS, CREANT ALORS QUATRE LIAISONS COVALENTES SIMPLES.  
V A UNE TEMPERATURE PROCHE DU ZERO ABSOLU, IL SE COMPORTE COMME UN ISOLANT 


Q Au sujet de la resistance :
V POUR UNE MEME GEOMETRIE, SA VALEUR EST INVERSEMENT PROPORTIONNELLE A LA CONDUCTIVITE DU MATERIAU UTILISE. 
V LA RESISTIVITE D’UN MATERIAU CONDUCTEUR AUGMENTE AVEC LA TEMPERATURE A CAUSE DE L’AGITATION THERMIQUE. 
F dans une meme maille, si l’on mesure les courants en amont et en aval, on trouve des valeurs differentes. 


Q Au sujet du PCB :
V LES PISTES SONT D’AUTANT PLUS LARGES QU’ELLES DOIVENT ACCUEILLIR DE GRANDS COURANTS. 
V LA NETLIST REPERTORIE LES DIFFERENTS COMPOSANTS DU CIRCUIT AINSI QUE LEURS CONNECTIVITES. 
V UN COUPLAGE ELECTROMAGNETIQUE SE CARACTERISE PAR UN CIRCUIT VICTIME D’UNE ONDE EMISE PAR UN CIRCUIT SOURCE (SIGNAL ALTERNATIF). 
F le sigle PCB correspond a « Printed Copper Board »


Q Sachant que l’antimoine est un element pentavalent :
V DANS LE SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE RESULTANT, L’IMPURETE EST IONISEE ET DEVIENT UN CATION . 
V LES DOPAGES DE TYPE P ET DE TYPE N CONDUISENT A UN ABAISSEMENT DE L’ENERGIE DE GAP. 
F la conductivite baisse avec la temperature. 


Q Au sujet du tableau periodique des elements :
V LES ELEMENTS D’UNE MEME PERIODE ONT LE MEME NOMBRE DE COUCHES ELECTRONIQUES 
VL A DENSITE DU SILICIUM EST DSI~5*10^22cm^-3.IL EN RESULTE QUE DANS 1 L, IL Y A 5 *10^25 ATOMES. 
F le modele de Bohr du Silicium (Z=14) est k^2 m^8 n^4 


Q Au sujet des semi-conducteurs de type N :
V LES PORTEURS DE CHARGE SE REPARTISSENT DE LA FAÇON SUIVANTE : n=Nd ET p=Ni^2 / Nd 
V LA DENSITE DE COURANT TOTALE EST LA SOMME DES DENSITES DE COURANT DE CONDUCTION ET DE DIFFUSION. 
F sa resistivite augmente avec la temperature.


Q Au sujet de la diode a jonction PN :
V UNE DIODE POLARISEE EN INVERSE LAISSE S’ECHAPPER UN COURANT DE FUITE DE QUELQUES NA. 
V UNE DIODE SCHOTTKY EST UN ASSEMBLAGE D’UN METAL ET D’UN SEMICONDUCTEUR (GENERALEMENT DE TYPE N) 
F le modele de la diode ideale comprend une tension de seuil mais pas de resistance interne. 


Q Au sujet du transistor bipolaire :
V LES PARAMETRES a ET b D'UN TRANSISTOR SONT LIES PAR LA FORMULE b = a / 1-a.  
V LE PARAMETRE a PREND TYPIQUEMENT DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0,9 ET 1. 
F le parametre b prend typiquement des valeurs comprises entre 0,9 et 1. 


Q L’effet Early est la consequence de : 
V UNE BASE EST TRES FINE  
F une base peu dopee  
F un gain en courant b qui varie avec la temperature
F un emetteur fortement dope 


Q L’effet transistor est la consequence de :
V UNE BASE EST TRES FINE 
V UNE BASE PEU DOPEE 
F un gain en courant b qui varie avec la temperature 


Q On considere un barreau de germanium pur dont les proprietes sont les suivantes :
V 4 ∙ 10^22 cm^-3  
F 2*10^22 cm^-3 
F 6*10^22 cm^-3 


Q Au sujet du courant...
V A TEMPERATURE AMBIANTE, LA VITESSE DE DERIVE EST INFERIEURE A LA VITESSE INDUITE PAR LE MOUVEMENT BROWNIEN. 
V LA VITESSE DE DERIVE EST INDUITE PAR UNE FORCE DE COULOMB. 
V EN PRESENCE D’UNE DIFFERENCE DE POTENTIEL, LES e- SE DEPLACENT DANS LE SENS OPPOSE A CELUI DU CHAMP ELECTRIQUE INDUIT PAR LA DIFFERENCE DE POTENTIEL.
F la vitesse de derive est induite par une force de Laplace.


Q Sachant que l’antimoine est un element pentavalent...
V DANS LE SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE RESULTANT, L’IMPURETE EST IONISEE ET DEVIENT UN CATION. 
V  LES DOPAGES DE TYPE P ET DE TYPE N CONDUISENT A UN ABAISSEMENT DE L’ENERGIE DE GAP.
F la conductivite baisse avec la temperature.


Q Soit un materiau conducteur ayant a sa borne gauche +3 V et a sa borne droite +5 V.
V LE CHAMPS ELECTRIQUE EST ORIENTE DE LA DROITE VERS LA GAUCHE
F les electrons circulent de la droite vers la gauche 
F les neutrons circulent de la droite vers la gauche

Q Dans un circuit imprime, il faut imperativement que les pistes de masse et d’alimentation soient plus larges que les pistes de signal.
Faux

Q Soit les caractéristiques de diode suivantes :
(graphe avec D2>D1)
V La résistance statique de la diode D1 est supérieure à celle de la diode D2
V À une même tension de polarisation positive, la diode D1 dissipe plus de chaleur que la 
  diode D2.

Q Au sujet du condensateur...
V LE CONDENSATEUR CERAMIQUE N’EST PAS POLARISE ET L’ON RETROUVE CETTE TECHNOLOGIE POUR DE PETITES VALEURS DE CAPACITANCE.
F les condensateurs dits « de couplage » permettent de debruiter les signaux.
F s’il est branche a la masse, plus sa capacitance est grande et plus il ramene les harmoniques de haute frequence a la masse.


Q Au sujet des semi-conducteurs...
V L’ANTIMOINE EST UN ELEMENT PENTAVALENT. DANS LE SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE RESULTANT, L’IMPURETE EST IONISEE ET DEVIENT UN CATION. 
V LES DOPAGES DE TYPE P ET DE TYPE N CONDUISENT A UN ABAISSEMENT DE L’ENERGIE DE GAP.
F leur conductivite baisse avec la temperature


Q Au sujet de la diode Schottky...
V ELLE EST UTILISEE POUR DES APPLICATIONS EN HAUTE FREQUENCE
F la tension de seuil est similaire a celle d’une diode classique
F on la fabrique en juxtaposant un metal et un semi-conducteur de type P.


Q La diode a une tension Zener Vz = 5,6 V. On considere qu’elle est ideale. Quelle doit etre la tension minimale Emin pour que la diode commence a reguler ?
V 12 V
F 11v
F 10v


Q On suppose que la diode est ideale. Le generateur de tension delivre une tension allant de 20 V a 40 V. Donner la valeur la plus proche du courant maximal Imax.
V 50mA
F 100 mA
F 10mA


Q On donne Eg 2 = 5 V, R = 50 OHM L’equation de la droite de charge s’ecrit :
V Id = (E / R) – (2Vd / R)


Q La valeur de la resistance d’emetteur est telle que bRz sup 10. Quel est l’avantage de ce circuit par rapport au meme circuit sans resistance d’emetteur ?
V LES COORDONNEES DU POINT DE POLARISATION PEUVENT ETRE CONSIDERES COMME ETANT INDEPENDANTS DE B.
F La valeur du courant Ic est fortement dependante de la temperature.
F Le transistor sera necessairement bloque