Q Au sujet du Silicium pur : V IL S’AGIT D’UN SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE. V CHAQUE ATOME PARTAGE UN ELECTRON AVEC CHACUN DE SES VOISINS, CREANT ALORS QUATRE LIAISONS COVALENTES SIMPLES. V A UNE TEMPERATURE PROCHE DU ZERO ABSOLU, IL SE COMPORTE COMME UN ISOLANT Q Au sujet de la resistance : V POUR UNE MEME GEOMETRIE, SA VALEUR EST INVERSEMENT PROPORTIONNELLE A LA CONDUCTIVITE DU MATERIAU UTILISE. V LA RESISTIVITE D’UN MATERIAU CONDUCTEUR AUGMENTE AVEC LA TEMPERATURE A CAUSE DE L’AGITATION THERMIQUE. F dans une meme maille, si l’on mesure les courants en amont et en aval, on trouve des valeurs differentes. Q Au sujet du PCB : V LES PISTES SONT D’AUTANT PLUS LARGES QU’ELLES DOIVENT ACCUEILLIR DE GRANDS COURANTS. V LA NETLIST REPERTORIE LES DIFFERENTS COMPOSANTS DU CIRCUIT AINSI QUE LEURS CONNECTIVITES. V UN COUPLAGE ELECTROMAGNETIQUE SE CARACTERISE PAR UN CIRCUIT VICTIME D’UNE ONDE EMISE PAR UN CIRCUIT SOURCE (SIGNAL ALTERNATIF). F le sigle PCB correspond a « Printed Copper Board » Q Sachant que l’antimoine est un element pentavalent : V DANS LE SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE RESULTANT, L’IMPURETE EST IONISEE ET DEVIENT UN CATION . V LES DOPAGES DE TYPE P ET DE TYPE N CONDUISENT A UN ABAISSEMENT DE L’ENERGIE DE GAP. F la conductivite baisse avec la temperature. Q Au sujet du tableau periodique des elements : V LES ELEMENTS D’UNE MEME PERIODE ONT LE MEME NOMBRE DE COUCHES ELECTRONIQUES VL A DENSITE DU SILICIUM EST DSI~5*10^22cm^-3.IL EN RESULTE QUE DANS 1 L, IL Y A 5 *10^25 ATOMES. F le modele de Bohr du Silicium (Z=14) est k^2 m^8 n^4 Q Au sujet des semi-conducteurs de type N : V LES PORTEURS DE CHARGE SE REPARTISSENT DE LA FAÇON SUIVANTE : n=Nd ET p=Ni^2 / Nd V LA DENSITE DE COURANT TOTALE EST LA SOMME DES DENSITES DE COURANT DE CONDUCTION ET DE DIFFUSION. F sa resistivite augmente avec la temperature. Q Au sujet de la diode a jonction PN : V UNE DIODE POLARISEE EN INVERSE LAISSE S’ECHAPPER UN COURANT DE FUITE DE QUELQUES NA. V UNE DIODE SCHOTTKY EST UN ASSEMBLAGE D’UN METAL ET D’UN SEMICONDUCTEUR (GENERALEMENT DE TYPE N) F le modele de la diode ideale comprend une tension de seuil mais pas de resistance interne. Q Au sujet du transistor bipolaire : V LES PARAMETRES a ET b D'UN TRANSISTOR SONT LIES PAR LA FORMULE b = a / 1-a. V LE PARAMETRE a PREND TYPIQUEMENT DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0,9 ET 1. F le parametre b prend typiquement des valeurs comprises entre 0,9 et 1. Q L’effet Early est la consequence de : V UNE BASE EST TRES FINE F une base peu dopee F un gain en courant b qui varie avec la temperature F un emetteur fortement dope Q L’effet transistor est la consequence de : V UNE BASE EST TRES FINE V UNE BASE PEU DOPEE F un gain en courant b qui varie avec la temperature Q On considere un barreau de germanium pur dont les proprietes sont les suivantes : V 4 ∙ 10^22 cm^-3 F 2*10^22 cm^-3 F 6*10^22 cm^-3 Q Au sujet du courant... V A TEMPERATURE AMBIANTE, LA VITESSE DE DERIVE EST INFERIEURE A LA VITESSE INDUITE PAR LE MOUVEMENT BROWNIEN. V LA VITESSE DE DERIVE EST INDUITE PAR UNE FORCE DE COULOMB. V EN PRESENCE D’UNE DIFFERENCE DE POTENTIEL, LES e- SE DEPLACENT DANS LE SENS OPPOSE A CELUI DU CHAMP ELECTRIQUE INDUIT PAR LA DIFFERENCE DE POTENTIEL. F la vitesse de derive est induite par une force de Laplace. Q Sachant que l’antimoine est un element pentavalent... V DANS LE SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE RESULTANT, L’IMPURETE EST IONISEE ET DEVIENT UN CATION. V LES DOPAGES DE TYPE P ET DE TYPE N CONDUISENT A UN ABAISSEMENT DE L’ENERGIE DE GAP. F la conductivite baisse avec la temperature. Q Soit un materiau conducteur ayant a sa borne gauche +3 V et a sa borne droite +5 V. V LE CHAMPS ELECTRIQUE EST ORIENTE DE LA DROITE VERS LA GAUCHE F les electrons circulent de la droite vers la gauche F les neutrons circulent de la droite vers la gauche Q Dans un circuit imprime, il faut imperativement que les pistes de masse et d’alimentation soient plus larges que les pistes de signal. Faux Q Soit les caractéristiques de diode suivantes : (graphe avec D2>D1) V La résistance statique de la diode D1 est supérieure à celle de la diode D2 V À une même tension de polarisation positive, la diode D1 dissipe plus de chaleur que la diode D2. Q Au sujet du condensateur... V LE CONDENSATEUR CERAMIQUE N’EST PAS POLARISE ET L’ON RETROUVE CETTE TECHNOLOGIE POUR DE PETITES VALEURS DE CAPACITANCE. F les condensateurs dits « de couplage » permettent de debruiter les signaux. F s’il est branche a la masse, plus sa capacitance est grande et plus il ramene les harmoniques de haute frequence a la masse. Q Au sujet des semi-conducteurs... V L’ANTIMOINE EST UN ELEMENT PENTAVALENT. DANS LE SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE RESULTANT, L’IMPURETE EST IONISEE ET DEVIENT UN CATION. V LES DOPAGES DE TYPE P ET DE TYPE N CONDUISENT A UN ABAISSEMENT DE L’ENERGIE DE GAP. F leur conductivite baisse avec la temperature Q Au sujet de la diode Schottky... V ELLE EST UTILISEE POUR DES APPLICATIONS EN HAUTE FREQUENCE F la tension de seuil est similaire a celle d’une diode classique F on la fabrique en juxtaposant un metal et un semi-conducteur de type P. Q La diode a une tension Zener Vz = 5,6 V. On considere qu’elle est ideale. Quelle doit etre la tension minimale Emin pour que la diode commence a reguler ? V 12 V F 11v F 10v Q On suppose que la diode est ideale. Le generateur de tension delivre une tension allant de 20 V a 40 V. Donner la valeur la plus proche du courant maximal Imax. V 50mA F 100 mA F 10mA Q On donne Eg 2 = 5 V, R = 50 OHM L’equation de la droite de charge s’ecrit : V Id = (E / R) – (2Vd / R) Q La valeur de la resistance d’emetteur est telle que bRz sup 10. Quel est l’avantage de ce circuit par rapport au meme circuit sans resistance d’emetteur ? V LES COORDONNEES DU POINT DE POLARISATION PEUVENT ETRE CONSIDERES COMME ETANT INDEPENDANTS DE B. F La valeur du courant Ic est fortement dependante de la temperature. F Le transistor sera necessairement bloque