## cours 1 ## force de coulomb F=q.E Vitesse derive Vd = (e/me)(Uab/l).to Resistance: R = (1/sigma)(L/S) = ro(L/S) Loi ohm locale J = sigma.I Diviseur de tension Uout = R2/(R1+R2) Uin Ampli non inverseur Uout = (1+ R1/R2).Uin Capacite C = q/u = epsilon.S/d Condensateur I=C.du/dt ## cours 2 ## Vitesse derive Vd,e = -yn.E Vd,trou=yp.E y : lettre grecque MU conduction semi conducteur Jc = Jc,n + Jc,p = qp.yp.E – qn.yn.E = e(p.yp + n.yn)E Conductivite semi conducteur Gama = 1/ ro = e(p.yp + n.yn) Densite de courant J = Jc +Jd Relation einstein Dn/yn = Dp/yp = Kb.T/q Loi action masse Np = ni^2 Semi conducteur dope n N = ND P =ni^2/ND Semi conducteur dope p N = ni^2/NA P = NA Nombre d atome Nx = nx.NA = (mx/Mx).NA = (ROx/Mx).NA ## cours 3 ## Tension seuil Silicium : 0,7V Germanium : 0,3V Diode ideale VD =0 Diode prfaite VS = VS Diode reelle VD = VS+r.ID Diode zenner UZ = -UD IZ = -ID ## cours 4 ## Transistor NPN en stauration VBE = 0 ?7V IC = IC,sat (= ! beta. IB) VCE = VCE, sat = 0,1V (env=0) Transistor NPN bloque VBE inf 0,7V IB = IC = 0A Transistor NPN actif lineaire VBE = 0,7V IC=beta.IB inf IC,sat VCE sup VCE,sat Courant de collecteur (base) IC = alpha. IE + ICO env= beta. IE Courant de collecteur (emeteur) IC = alpha. IE + (beta + 1)ICBO env= alpha.IB Courant d emetteur (collecteur) IE = gama.IB + gama. ICBO env= gama. IB Gama = beta + 1 = 1/(I – alpha)