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On donne beta* Re> 10R2.
On souhaite comparer ce circuit au meme circuit sans resistance d’emetteur 
(Re remplacee par un fil).
Quelle(s) affirmation(s) sont correctes ?

(a) Dans le circuit avec Re, le transistor sera forcement bloque.
**(b)Avec Re, les coordonnees du point de polarisation peuvent etre considerees 
independantes de la valeur de Beta. 
(c) Sans Re, le transistor sera forcement bloque.

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On donne R1 = 68 KΩ, R2 = 12 KΩ, Rc = 1,5 KΩ, Vcc = 20V et Beta = 25
(faible valeur). 
Le transistor est en Silicium.
Calculer la valeur de Ic du point de travail.

**(a) 6 mA
(b) 12 mA
(c) 18 mA

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On donne R1 = 60 KΩ, R2 = 15 KΩ, Rc = 4,7 KΩ, Vcc = 18V et beta = 200. 
Quelle courbe correspond au mieux à la droite de charge du circuit ?

(a) Courbe (a)
**(b) Courbe (b)
(c) Courbe (c)

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Il s’agit d’un modèle en petits signaux obtenu par simplification par le modèle 
re.
On donne beta = 100, Re = 20 Ω, Ro = 50 KΩ et Rc =Rl = 2 KΩ.
Calculer le gain en tension.

(a) Ai = − 10
**(b) Ai = − 50
(c) Ai = − 100

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Calculer le gain en courant.

(a) Ai = 10
(b) Ai = 50
**(c) Ai = 100

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En haute frequence, on peut substituer un transistor bipolaire à un modele de :
  
(a) Gianantonio
(b) Giacometti
**(c) Giacoletto

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Quelle(s) affirmation(s) est / sont correcte(s) ?

(a) Le transistor est saturé pour Re = Re2"
(b) Le transistor est en mode actif direct pour Re = Re1
**(c) Le transistor est en mode actif direct pour Re = Re2

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L’effet transistor est la consequence de :
  
**(a) Une base est tres fine
**(b) Une base peu dopee
(c) Un gain en courant beta qui varie avec la température

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L’effet Early est la conséquence de :
  
**(a) Une base est très fine
(b) Une base peu dopée
(c) Un gain en courant beta qui varie avec la température

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Au sujet du comportement fréquentiel d’un amplificateur à émetteur commun...

**(a) Il se comporte comme un filtre passe-bande
(b) Il se comporte comme un filtre réjecteur de bande
**(c) Les condensateurs de couplage imposent un blocage des basses fréquence

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Le phénomène observé est :
  
**(a) Une distorsion de croisement
(b) Un croisement des ligaments
(c) L’effet Schottky

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On donne : 
• Résistance unitaire d’un nMOS : Rn = 5 KΩ
• Résistance unitaire d’un pMOS : Rp = 100 KΩ
Estimer le temps de propagation du circuit en considérant que la capacité de 
sortie de toutes les portes est de 10 pF.

**(a) 1,6 us
(b) 1,6 ns
(c) 160 us

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Donner l’équation logique de la sortie Y.

(a) Y = ABC
(b) Y = AB+ C
**(c) Y = A + BC

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Par rapport au transistor bipolaire, le transistor à effet de champs est un bon 
candidat pour fabriquer des portes logiques car :
  
**(a) Il est contrôlé en tension
**(b) Il est moins sujet au bruit car le courant est la résultante 
du déplacement d’un seul 
type de porteur de charge.
**(c) Il a une forte impédance d’entrée

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Au sujet du courant...

**(a) À température ambiante, la vitesse de dérive est inférieure à la vitesse 
induite par le mouvement brownien.
(b) La vitesse de dérive est induite par une force de Laplace.
**(c) En présence d’une différence de potentiel, les e- se déplacent dans le 
sens opposé à celui du champ électrique induit par la différence de potentiel

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Au sujet de la résistance...

(a) Dans une même maille, si l’on mesure les courants en amont et en aval,
on trouve des valeurs différentes.
**(b) Deux matériaux différents et de géométrie différentes peuvent avoir 
la même valeur de résistance.
(c) La conductivité d’un matériau conducteur augmente avec la température à 
cause de l’agitation thermique.

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Au sujet du PCB...

(a) Le sigle PCB correspond à « Printed Copper Board »
**(b) La netlist répertorie les différents composants du circuit ainsi que leurs 
connectivités.
(c) Les pistes sont d’autant plus larges qu’elles doivent accueillir de petits
courants.

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Sachant que l’antimoine est un élément pentavalent...

**(a) Dans le semi-conducteur extrinsèque résultant, l’impureté est ionisée et 
devient un cation.
**(b) Les dopages de type P et de type N conduisent à un abaissement de 
l’énergie de gap.
(c) La conductivité baisse lorsque la température augmente.

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Au sujet du tableau périodique des éléments...

**(a) Les éléments d’une même période ont le même nombre de couches 
électroniques.
**(b) La densité du Silicium est dsi~5 10^22 cm^-13. Il en résulte que dans 1 L, 
il y a 5 ∙ 10^4atomes.
(c) Le modèle de Bohr du Silicium (Z=14) est (K)2(M)5(N)6

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Soit un matériau conducteur ayant à sa borne gauche +3 V et à sa borne droite 
+5 V. 

(a) Les électrons circulent de la droite vers la gauche
(b) Les neutrons circulent de la droite vers la gauche
**(c) Le champs électrique est orienté de la droite vers la gauche

Dans un circuit imprimé, il faut impérativement que les pistes de masse et 
d’alimentation soient plus larges que les pistes de signal.

(a) Vrai
**(b) Faux
(c) La réponse C, c’est mon ultime bafouille

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Soit les caractéristiques de diode suivantes : 
  
  D2
  /
 /
/------D1


**(a) La résistance statique de la diode D1 est supérieure à celle de la diode 
D2
(b) La résistance statique de la diode D1 est inférieure à celle de la diode  D2
(c) La tension de seuil de la diode D1 est supérieure à celle de la diode  D2