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quand parallele
Req = R1R2/R1+R2


serie Req= R1+R2


Av = Us/Ue

Ue : courant entrée
Us : courant sortie

Silicium : 0,6
Germanium : 0,3

Av = -rL/re

rL (droite)
re (gauche)

Ai = Is/Ie


en haute fréquence
transistor bipolaire
devient modèle: Giacoletto

effet transistor :
  base très fine et peu dopé
  
effet early : base très fine

comportement fréquentiel d’un 
amplificateur à émetteur commun
filtre passe bande
blocage basse frequence

distorsion croisement
décalage à 0


trnasistor à effet de champ
-controlé en tension
-forte impédence d'entrée
-moins sujet au bruit car courant
résulte du deplacement
d'un seul type de porteur de 
charge

conducteur 
conductivité diminue avec
température

semi conducteur
conductivité augmente avec 
température

dans PCB
netlist repertorie differents
composants du cricuit et leur
connectivité

antimoine element pentavalent
-dopage de type P et N donnent
abaissement énergie de gap
-impurté devient cation 
dans semi condu extrinsèque

densité silicium 5x10^22
dans 1L : 5x10^25 atomes

champ électrique dans le sens
de la difference de potentiel